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管MOSFET
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1.
In
a
hard
switching
mode the
turning
on
of
the
MOSFET
is
not
synchronized
with
the
drain
-
source
voltage
value
.
在
硬
开关
里
场
效应
晶体
管
的
开启
波形
拐点
并不
和
漏
源
极
电压
值
同步
。
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2.
The
metal
oxide
semiconductor
field
effect
transistor
(
MOSFET
)
works
on
a
similar
principle
,
but
the
diode
is
buried
within
the
MOSFET
.
在
金属
氧化物
半导体
场
效应
晶体
管
(
MOSFET
)
的
作品
在
一个
类似
的
原则
,
但
二极管
的
MOSFET
内
掩埋
。
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3.
This
increase
of
the
reflected
voltage
results
in a
higher
drain
-
source
voltage
blocking
MOSFET
and
longer
duty
cycles
.
增加
的
反射
电压
导致
使用
更
高
漏
源
极
击穿
电压
的
场
效应
晶体
管
和
更
大
的
开关
占
空
比
。
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4.
The
Mosfet
transistor
has
been
very
popular
in
this
application
as
it
fulfill
both
requirements
better then the
bipolar
transistor
.
MOSFET
的
晶体
管
一直
很
受欢迎
,
在此
应用程序
,
因为
它
fullfils
双方
的
要求
,
更好
的话
,
双极
型
晶体管
。
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5.
No
external
sense
resistor
is
needed
,
and
no
blocking
diode
is
required
due
to
the
internal
MOSFET
architecture
.
由于
采用
了
内部
MOSFET
架构
,
所以
不
需要
外部
检测
电阻
器
和
隔离
二极
管
。
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6.
Single
flyback
converter
circuit
,
as well as the PWM
signal
,
is
used
to
control
the
MOSFET
.
使用
单
端
反激
变换
器
电路
,
用
PWM
信号
控制
开关
管
MOSFET
。
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7.
We
test
the
shot
noise
by
this
testing
system
for
short-channel MOSFETs
and
the
diodes
testing
,
and
the
results
are
satisfying
.
应用
本
测试
系统
测试
短
沟
道
MOSFET
和
二极
管
散
粒
噪声
,
得到
了
较好
的
测试
结果
。
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8.
Before
soldering
the
centre
lead
of
each
MOSFET
,
bend
it
over
towards
the
MOTOR
-
trace
.
之前
,
该
中心
的
焊锡
铅
每个
MOSFET
管
,
弯
管
,
它
超过
对
电动机
得
无影无踪
。
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9.
MOSFETs
with
good
body
diode
characteristics
and
ruggedness
are
needed
in
manyhigh
voltage
switching
applications
.
在
许多
高
电压
开关
应用
当中
,
都
需要
采用
具有
良好
特性
的
体
二极
管
且
耐用
性
强
的
MOSFET
。
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10.
Because
it
depends
on
some
process
characteristics
,
it
is
difficult
to
predict
accurately
the
threshold
voltage
of
a
MOSFET
.
因为
它
取决于
一些
工艺
特点
,
很难
准确
预测
阈值
电压
的
场
效应
晶体
管
。
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