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50.4-50.6
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1.
Other
silicide
layers
(
50
.
4-50
.
6
)
are
on the
tops
of
the
source
,
drain
and
polysilicon
gate
.
其它
硅
化
物
层
(
50.4-50.6
)
处于
源
极
、
漏
极
和
多晶硅
栅极
的
顶
部
。
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