2025年的存储市场正在悄然发生变化，AI技术应用的快速发展赋予了存储行业新的生命力。根据《科创板日报》的报道，多家券商预计，受原厂控产的推动以及库存消化的影响，主流NAND ...

近日，快科技报道称三星电子将在2025年下半年开始使用中国存储厂商长江存储的专利技术，特别是400多层NAND ...

近日，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）合作，在国际固态电路会议（ISSCC 2025）上发布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。这一新一代的3D ...

智通财经APP获悉， 中信证券 发布研究报告称，原厂控产、产品结构升级之下，近期主流存储现货市场价格趋稳，部分低端料号微涨。随原厂控产影响显现，行业库存逐步消化，AI拉动需求提升，预计主流NAND Flash ...

2024年四季度全球NAND Flash市场规模减少8.5%至174.1亿美元，DRAM市场规模环比增长13.5%至293.45亿美元，四季度全球存储市场规模 ...

由于DeepSeek不仅降低了计算成本，多模态处理能力、说是知识图谱和推理能力的优秀表现，使得厂商拥有足够的资源调用更多的数据。这使得原本大量的冷数据变成了温数据。温数据对存储有着更高的要求，需要相对HDD更快的传输速率，并且存储数据可能每年以EB级 ...

根据印科技的报道：国内领先的NAND FLASH存储公司Y公司，与芯片存储巨头韩国三星达成合作，三星已经确认从V10开始，将使用来自中国同行Y公司的专利技术，主要就是在新型先进封装技术“混合键合”方面。

每经AI快讯，中原证券研报表示，存储器原厂减产、智能手机库存去化、AI及DeepSeek效应等因素将推升NAND Flash需求，供过于求的局面有望缓解。根据TrendForce的预测，NAND Flash市场供需结构将有望在2025年下半年显著改善 ...

三星电子，作为存储芯片行业中的领头羊，从中国企业手中获得专利授权，的确是个罕见的现象。报道称，之所以选择与长江存储合作，是因为长江在“混合键合”技术上的表现已走在了全球的前列。三星经过综合评估，意识到从下一代的V10 NAND Flash产品开始，必然要依赖长江存储的专利技术。

其中QLC能够更好的在单位空间内提升存储容量，第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH™的QLC产品提高了约2.3倍 ...

“目前AI手机的DRAM配置已提升至16GB，AI个人电脑设备的内存容量也普遍已经达到32GB。此外，智能汽车有望引入开源大模型，将进一步提升存储需求。未来，AI端侧应用有望大幅拉动对存储芯片的需求。”萨摩耶云科技集团首席经济学家郑磊在接受《证券日报》记者表示。

尤其在消费类应用市场疲软的影响下，四季度DRAM和NAND Flash市场表现已经出现了明显分化。 站在现阶段的时间节点，存储市场的供需关系再度站上十字路口。在1Q25存储行情全面下行的情况下，下半年需求市场的预期回暖能否如期发生，存储价格究竟何时企稳？