SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。” ...

在存储技术不断发展的背景下，SK海力士于2024年11月21日宣布开始量产全球最高级别的321层TLC（Triple-Level Cell）4D NAND闪存。这一新型闪存不仅在容量和性能上再创新高，更进一步推动了整个存储行业的技术进步。 新款321层闪存的存储密度达到了1Tb（太字节），相较于上一代的238层产品，其数据传输速度提升了12%，读取性能也提高了13%。此外，通过高效的制造技术，SK ...

SK海力士公司近日宣布开始量产全球最高级别的321层1Tb（太字节）TLC（TripleLevelCell）4DNAND闪存。与上一代产品相比，这款新型闪存的数据传输速度和读取性能分别提升了12%和13%，同时数据读取的能效也提高了超过10 ...

SK 海力士表示：“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的 NAND 闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品，由此应对市场需求。” ...

SK 海力士表示：“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的 NAND 闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品，由此应对市场需求。” ...