碳化硅器件以其高开关速度和热性能突破了传统硅基功率封装的极限。传统设计通常受到寄生电感的影响，从而导致电压过冲、振荡和栅极氧化层损坏。这些问题不仅会影响效率，还需要高成本的设计权衡。

2025年2月18日，重庆云潼科技有限公司对外宣布，该公司已获得国家知识产权局授权的一项新专利，名为“一种具有ESD防护能力的MOSFET器件”（授权公告号CN222483384U），这一创新将为电子设备的抗干扰性能提供新的保障。

晶体管在摩尔定律 (Moore's Law) 的推动下持续提高硅基集成电路 (ICs) 性能，随着尺度微缩至10纳米技术节点以下，已接近操作组件下的物理极限。（数据源：闳康科技；文章编修：科技新报） ...

芝能智芯出品Wolfspeed推出了全新第4代MOSFET技术平台，为高功率应用提供显著的性能提升，尤其是在电动汽车、电力电子、可再生能源等领域的应用中。第4代技术通过优化设计，显著提升了系统效率、延长了产品的使用寿命，并降低了开发时间和系统成本。我们一起来看看Wolfspeed第4代MOSFET技术的核心特点、设计理念及其在实际 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，优质碳化硅（SiC）解决方案供应商SemiQ Inc宣布推出QSiC 1200V MOSFET。这是一款第三代SiC器件，可在缩小芯片尺寸的同时提高开关速度和效率。 图片来源：SemiQ 与QSiC的第二代SiC ...

在智能设备日益普及的今天，电子元器件的安全性和稳定性愈发重要。2025年2月18日，重庆云潼科技有限公司获得了国家知识产权局授权的一项重磅专利——具有ESD防护能力的MOSFET器件，专利号CN222483384U。这一创新标志着公司在电力电子器件领域的一次重大突破，将对智能设备市场产生深远的影响。云潼科技在电源管理和信号处理领域的不断探索，使其能够在设备保护方面迈出坚实的一步。

功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势;而功率晶闸管承受电压和电流容量 ...

金融界2025年1月24日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“提高体二极管导通性能sic mosfet结构”的专利 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，为超高效、高性能和高压应用提供优质碳化硅（SiC）解决方案的设计商、开发商和全球供应商SemiQ Inc宣布推出一系列1700 V SiC MOSFET，旨在满足中压高功率转换应用的需求，例如光伏和风能逆变器、储能、电动汽车和路边充电、不间断电源以及感应加热/焊接。 图片来源：SemiQ 该高速QSiC™ 1700 V开关平面D-MOSFET可实现更紧凑的大规模系统设计，具 ...

Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持 整体效率的提升有助于降低系统成本、缩短开发时间，同时最大限度延长应用寿命，这代表着碳化硅技术的一个关键进展 ...