近日，捷捷微电在投资者互动平台上透露了与华为的合作细节，引发广泛关注。作为二级供应商，捷捷微电的部分MOSFET产品应用于光伏逆变器领域，并通过间接合作为华为手机的无线和有线快充提供相关防护器件。这一合作不仅展现了捷捷微电在半导体领域的技术实力，也进 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示韦尔股份（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法”，专利申请号为CN202110185932.8，授权日为2025年2月21日。

碳化硅器件以其高开关速度和热性能突破了传统硅基功率封装的极限。传统设计通常受到寄生电感的影响，从而导致电压过冲、振荡和栅极氧化层损坏。这些问题不仅会影响效率，还需要高成本的设计权衡。

2025年2月21日消息，德州仪器公司在高电压漏极延伸式MOS晶体管领域取得了重大进展，根据国家知识产权局的公开信息，该公司于2018年12月申请的专利最近获得了授权，公告号为CN111279488B。这一技术将可能对现代电子设备及其效率产生深远影响，特别是在电源管理和高性能计算的应用中。

芝能智芯出品Wolfspeed推出了全新第4代MOSFET技术平台，为高功率应用提供显著的性能提升，尤其是在电动汽车、电力电子、可再生能源等领域的应用中。第4代技术通过优化设计，显著提升了系统效率、延长了产品的使用寿命，并降低了开发时间和系统成本。我们一起来看看Wolfspeed第4代MOSFET技术的核心特点、设计理念及其在实际 ...

金融界2025年1月24日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“提高体二极管导通性能sic mosfet结构”的专利 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，优质碳化硅（SiC）解决方案供应商SemiQ Inc宣布推出QSiC 1200V MOSFET。这是一款第三代SiC器件，可在缩小芯片尺寸的同时提高开关速度和效率。 图片来源：SemiQ 与QSiC的第二代SiC ...