近日，捷捷微电在投资者互动平台上透露了与华为的合作细节，引发广泛关注。作为二级供应商，捷捷微电的部分MOSFET产品应用于光伏逆变器领域，并通过间接合作为华为手机的无线和有线快充提供相关防护器件。这一合作不仅展现了捷捷微电在半导体领域的技术实力，也进 ...

碳化硅器件以其高开关速度和热性能突破了传统硅基功率封装的极限。传统设计通常受到寄生电感的影响，从而导致电压过冲、振荡和栅极氧化层损坏。这些问题不仅会影响效率，还需要高成本的设计权衡。

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示韦尔股份（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法”，专利申请号为CN202110185932.8，授权日为2025年2月21日。

近年来，碳化硅 (SiC)技术已经得到不断完善，并成为在电动化、马达驱动等高频开关应用中的重要推动力量。 SemiQ公司宣布推出第三代SiC技术产品——QSiC 1200V MOSFET ...

晶体管在摩尔定律 (Moore's Law) 的推动下持续提高硅基集成电路 (ICs) 性能，随着尺度微缩至10纳米技术节点以下，已接近操作组件下的物理极限。（数据源：闳康科技；文章编修：科技新报） ...

芝能智芯出品Wolfspeed推出了全新第4代MOSFET技术平台，为高功率应用提供显著的性能提升，尤其是在电动汽车、电力电子、可再生能源等领域的应用中。第4代技术通过优化设计，显著提升了系统效率、延长了产品的使用寿命，并降低了开发时间和系统成本。我们一起来看看Wolfspeed第4代MOSFET技术的核心特点、设计理念及其在实际 ...

金融界2025年1月24日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“提高体二极管导通性能sic mosfet结构”的专利 ...

MOSFET并联使用在许多功率电子电路中是常见的设计方法，尤其是在高功率或高电流应用中。这种设计的主要目的是通过并联多个MOSFET来分担电流、降低功耗并提高电路的性能和可靠性。 单个MOSFET的最大电流能力受到其额定参数，如最大漏极电流的限制。通过将 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，优质碳化硅（SiC）解决方案供应商SemiQ Inc宣布推出QSiC 1200V MOSFET。这是一款第三代SiC器件，可在缩小芯片尺寸的同时提高开关速度和效率。 图片来源：SemiQ 与QSiC的第二代SiC ...

该高速QSiC™ 1700 V开关平面D-MOSFET可实现更紧凑的大规模系统设计，具有更高的功率密度和更低的系统成本。它们具有可靠的体二极管，能够在高达175 ...

Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持 整体效率的提升有助于降低系统成本、缩短开发时间，同时最大限度延长应用寿命，这代表着碳化硅技术的一个关键进展 ...