英飞凌在其 ...

GaN互补逻辑性能的一个关键瓶颈是p-沟道FET与成熟n-FET的互补。GaN p-FET的最大漏极电流通常小于10mA/mm。这与镁（Mg）作为电子受体产生正空穴电荷载流子的性能较差有关。

氮化镓 (GaN)技术相比传统硅基MOSFET有许多优势。GaN是宽带隙半导体，可以让功率开关在高温下工作并实现高功率密度。这种材料的击穿电压较高，可适用于100 V以上的应用。而对于100 ...

👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。

文章大纲宽禁带半导体概述 ·宽禁带半导体特征 ...

成都航天博目电子科技有限公司成立于2024年，总部位于四川省成都市，是一家专注于计算机、通信和其他电子设备制造的企业。注册资本高达2.9亿元人民币，显示了其雄厚的资金实力和技术底蕴。通过天眼查大数据分析，该公司已参与4次招投标项目，拥有28项专利和3 ...

朱廷刚：总体来看，GaN功率半导体市场还是呈增长趋势的，但如大家所见，这几年大环境消费端需求疲软，造成需求的增速放缓。这个现象不止影响到Power GaN，对整个功率半导体市场的影响也是一样的。

格隆汇2月10日丨芯导科技(688230.SH)在投资者互动平台表示，近年来随着全球能源结构向低碳化转型加速为功率半导体产业带来巨大机遇，公司聚焦新能源应用领域，集中发力加快发展GaN、SiC、IGBT等新型功率半导体业务。 公司650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN ...

今年1月，苏州华太电子技术股份有限公司成功申请了一项名为"一种GaN HEMT器件"的专利，这标志着其在GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT ...

2025年2月19日 英国剑桥- 氮化镓 (GaN)功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金 (BGF)、剑桥创新资本公司 (CIC)、英国展望集团 (Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。

IT之家 10 月 26 日消息，德州仪器 TI 本月 24 日宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 GaN 材料的功率半导体产品，这也意味着德州仪器 ...