2025年2月26日，在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》，希望利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。

GaN互补逻辑性能的一个关键瓶颈是p-沟道FET与成熟n-FET的互补。GaN p-FET的最大漏极电流通常小于10mA/mm。这与镁（Mg）作为电子受体产生正空穴电荷载流子的性能较差有关。

氮化镓 (GaN)技术相比传统硅基MOSFET有许多优势。GaN是宽带隙半导体，可以让功率开关在高温下工作并实现高功率密度。这种材料的击穿电压较高，可适用于100 V以上的应用。而对于100 ...

👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。

Allan方差分析表明，静态噪声中的量化噪声降低94%，达到高端传感器实测性能。在实际工业场景测试中，成功捕捉到13.2g的机械冲击峰值（传统传感器在8.0g即饱和），并通过高精度三维高速运动捕捉设备验证了信号波形的时频域保真度。

低成本加速度计凭借体积小、易集成、可穿戴及量产化优势，在工业自动化、医疗监测和消费电子等领域广泛应用，但其精度受限、噪声显著且量程范围狭窄的问题严重制约了高动态场景下的应用。

朱廷刚：总体来看，GaN功率半导体市场还是呈增长趋势的，但如大家所见，这几年大环境消费端需求疲软，造成需求的增速放缓。这个现象不止影响到Power GaN，对整个功率半导体市场的影响也是一样的。

成都航天博目电子科技有限公司成立于2024年，总部位于四川省成都市，是一家专注于计算机、通信和其他电子设备制造的企业。注册资本高达2.9亿元人民币，显示了其雄厚的资金实力和技术底蕴。通过天眼查大数据分析，该公司已参与4次招投标项目，拥有28项专利和3 ...

氮化镓（GaN）器件作为一种战略性的宽禁带功率开关器件，在快速充电器、数据中心和5G设备等场景中有广泛应用。据报道，宽禁带功率开关器件的 ...

格隆汇2月10日丨芯导科技(688230.SH)在投资者互动平台表示，近年来随着全球能源结构向低碳化转型加速为功率半导体产业带来巨大机遇，公司聚焦新能源应用领域，集中发力加快发展GaN、SiC、IGBT等新型功率半导体业务。 公司650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN HEMT产品有序开发中，其中40V产品已在客户端测试通过。650V ...