业内人士表示，在单个晶圆上仅通过单元堆叠的方式最多可堆叠约 500 层 NAND，要想实现三星承诺的 1000 层 NAND 则不可避免地用到多片晶圆。实际上，早在 2022 年于硅谷举行的“2022 年三星技术日”上，三星就承诺将在 2030 年之前开发出 1000 层 NAND。

2月26日，合肥晶合集成电路股份有限公司发布2024年年度业绩快报公告。报告期内，公司实现营业总收入92.49亿元，较上年同期增长27.69%；实现归属于母公司所有者的净利润53,261.63 ...

三星的目标是到 2030 年凭借其新型"多BV"NAND 设计制造出 1000 层 NAND。 The Bell 报道称，该计划涉及堆叠四个晶圆以克服结构限制。 晶圆键合技术在这一进展中起着至关重要的作用，三星打算利用它来突破 1000 ...