电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示韦尔股份（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法”，专利申请号为CN202110185932.8，授权日为2025年2月21日。

2025年2月21日，上海道之科技有限公司近日宣布获得一项名为 "一种改善反向恢复特性的超结MOSFET器件" 的专利，授权公告号为CN113611749B。该专利的申请日期为2021年8月，彰显出该公司的技术创新能力和对电力电子领域的深耕之路。

根据AI大模型测算银河微电后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面，下方累积一定获利筹码。近期该股获筹码青睐，且集中度渐增。舆情分析来看，目前市场情绪极度悲观。

2025年2月21日，捷捷微电在其官方互动平台上透露，公司的MOSFET器件产品广泛应用于多个领域，其中包括前沿的机器人技术。这一信息引起了众多技术爱好者和投资者的关注，因为随着人工智能和机器人的迅速发展，相关电子元器件的支持显得尤为重要。

2月20日，联想集团发布了截至 2024 年 12 月 31 日的 2024/25 财年第三财季业绩。 数据显示，联想在该季度的营收为1351亿人民币，同比增长 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，优质碳化硅（SiC）解决方案供应商SemiQ Inc宣布推出QSiC 1200V MOSFET。这是一款第三代SiC器件，可在缩小芯片尺寸的同时提高开关速度和效率。 图片来源：SemiQ 与QSiC的第二代SiC ...

2025年2月19日 英国剑桥- 氮化镓（GaN） 功率器件 的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资 。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。

日前，小米市场部管培生赵长琳（抖音、小红书昵称“二赵上道”）全网首发分享了位于北京昌平的小米青年公寓内部实拍视频。 据了解，赵长琳2024年成为小米青年公寓内部代言人之一，按照小米的说法，小米青年公寓竣工后，会邀请代言人进行软装方案评审及交付验收。

晶体管在摩尔定律 (Moore's Law) 的推动下持续提高硅基集成电路 (ICs) 性能，随着尺度微缩至10纳米技术节点以下，已接近操作组件下的物理极限。（数据源：闳康科技；文章编修：科技新报） ...