电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示韦尔股份（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法”，专利申请号为CN202110185932.8，授权日为2025年2月21日。

2025年2月21日，上海道之科技有限公司近日宣布获得一项名为 "一种改善反向恢复特性的超结MOSFET器件" 的专利，授权公告号为CN113611749B。该专利的申请日期为2021年8月，彰显出该公司的技术创新能力和对电力电子领域的深耕之路。

根据AI大模型测算银河微电后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面，下方累积一定获利筹码。近期该股获筹码青睐，且集中度渐增。舆情分析来看，目前市场情绪极度悲观。

2025年2月21日，捷捷微电在其官方互动平台上透露，公司的MOSFET器件产品广泛应用于多个领域，其中包括前沿的机器人技术。这一信息引起了众多技术爱好者和投资者的关注，因为随着人工智能和机器人的迅速发展，相关电子元器件的支持显得尤为重要。

盖世汽车讯 据外媒报道，优质碳化硅（SiC）解决方案供应商SemiQ Inc宣布推出QSiC 1200V MOSFET。这是一款第三代SiC器件，可在缩小芯片尺寸的同时提高开关速度和效率。 图片来源：SemiQ 与QSiC的第二代SiC ...

2025年2月19日 英国剑桥- 氮化镓（GaN） 功率器件 的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资 。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。

晶体管在摩尔定律 (Moore's Law) 的推动下持续提高硅基集成电路 (ICs) 性能，随着尺度微缩至10纳米技术节点以下，已接近操作组件下的物理极限。（数据源：闳康科技；文章编修：科技新报） ...

芝能智芯出品Wolfspeed推出了全新第4代MOSFET技术平台，为高功率应用提供显著的性能提升，尤其是在电动汽车、电力电子、可再生能源等领域的应用中。第4代技术通过优化设计，显著提升了系统效率、延长了产品的使用寿命，并降低了开发时间和系统成本。我们一起来看看Wolfspeed第4代MOSFET技术的核心特点、设计理念及其在实际 ...

MOSFET器件、超结MOSFET器件、MEMS传感器、MCU芯片、SOC芯片、快恢复管、TVS管、稳压管等产品出货量增长的带动下，公司总体营收保持了较快的增长势头。 据公司2024年年度业绩预告，士兰微预计全年实现扣非净利润1.84亿元到2.24亿元，同比增加212.39%到280.31% ...

随着人工智能（AI）技术的迅猛发展，为AI处理器提供高效、可靠的电源供应，成为了一个不容忽视的挑战。想要应对这一挑战，打造新一代功率器件是关键的一环。 为了满足由AI驱动、日趋旺盛的市场需求，英飞凌进一步扩展碳化硅（SiC）MOSFET的产品组合，推出 ...

近日，纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品，优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。 纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能 ...