电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 ...

2025年2月21日，捷捷微电在其官方互动平台上透露，公司的MOSFET器件产品广泛应用于多个领域，其中包括前沿的机器人技术。这一信息引起了众多技术爱好者和投资者的关注，因为随着人工智能和机器人的迅速发展，相关电子元器件的支持显得尤为重要。

近日，捷捷微电在投资者互动平台上透露了与华为的合作细节，引发广泛关注。作为二级供应商，捷捷微电的部分MOSFET产品应用于光伏逆变器领域，并通过间接合作为华为手机的无线和有线快充提供相关防护器件。这一合作不仅展现了捷捷微电在半导体领域的技术实力，也进 ...

由于负载电流比较大，如果MOSFET并联电路设计不合理，就会出现炸管的问题，今天重点讲一下栅极电阻在预防MOSFET并联炸管问题中的作用，我们在设计MOSFET驱动电路时，一般会在MOSFET栅极串联 ...

碳化硅器件以其高开关速度和热性能突破了传统硅基功率封装的极限。传统设计通常受到寄生电感的影响，从而导致电压过冲、振荡和栅极氧化层损坏。这些问题不仅会影响效率，还需要高成本的设计权衡。

芝能智芯出品Wolfspeed推出了全新第4代MOSFET技术平台，为高功率应用提供显著的性能提升，尤其是在电动汽车、电力电子、可再生能源等领域的应用中。第4代技术通过优化设计，显著提升了系统效率、延长了产品的使用寿命，并降低了开发时间和系统成本。我们一起来看看Wolfspeed第4代MOSFET技术的核心特点、设计理念及其在实际 ...

金融界2025年1月24日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“提高体二极管导通性能sic mosfet结构”的专利 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示韦尔股份（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法”，专利申请号为CN202110185932.8，授权日为2025年2月21日。