本月早些时候，芝加哥大学普利兹克分子工程学院的研究人员展示了一种技术，该技术能够利用原子大小的晶体缺陷来表示1和0，从而在“仅1mm³大小的小立方体材料内实现极高的密度，存储太字节级别的存储比特 (TB)”。