近日，德国美因茨约翰内斯古腾堡大学（JGU）与法国公司Antaios合作，开发出一种新型的节能存储技术，可能会在未来彻底改变数据存储领域。这项名为自旋轨道扭矩（SOT）磁性随机存取存储器（MRAM）的创新技术，具有显著降低能耗的潜力，将为智能手机、超级计算机等各种智能设备的效率提升带来巨大的推动力。在当前对能源效率日益关注的背景下，此项研究无疑将成为存储技术的一个重要里程碑。

这种将MRAM与FPGA结合使用的方式，代表了对未来高可靠性系统的一种战略性投入。随着各行业对电子元件的需求不断升级，这类系统将成为“故障零容忍”应用中的最佳解决方案。MRAM不仅是技术的进步，更是对未来技术趋势的重要响应。通过不断创新，FPGA的应 ...

由于MRAM具有卓越的性能特征，它正日益被采用来替代FPGA配置中的传统闪存。它提供高耐久性、快速读写能力和出色的数据保留能力，这些特性对于不能容忍延迟或数据丢失的应用至关重要，如实时传感器处理、航空电子数据记录和空间系统在轨重编程。根据InvestingPro分析，Everspin拥有53.9%的强劲毛利率和6.74的流动比率，显示出强大的运营效率，且流动资产显著超过短期负债。

传统的闪存会导致启动时间延迟。 从闪存到MRAM：任务成功的关键 为FPGA设计电路或应用时，需要使用硬件描述语言（HDL）来描述FPGA内部的功能应如何布线。HDL代码使用FPGA开发软件（如Lattice Radiant™）编译成FPGA配置文件，即位流。位流包含二进制数据，告诉FPGA ...

磁阻 RAM (MRAM) 就是这样一种存储器类型，它比传统 RAM 具有多种优势，包括非挥发性、高速、存储容量增加和耐用性增强。尽管 MRAM 设备已经取得了 ...

由于 SOT-MRAM 能耗较低且具有非易失性，因此被认为是静态 RAM 的有前途的替代品。与传统内存不同，它使用电流来切换磁状态，从而实现可靠的数据存储。降低写入数据所需的高输入电流，同时确保与工业应用的兼容性仍然是一个挑战，因此 JGU 的团队开发了一种磁性材料，将钌作为 SOT 通道，解决了这些问题并提高了性能。

快科技12月26日消息，据媒体报道，在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM（自旋 ...