该短波红外单光子探测技术采用CMOS兼容的电子束光刻制备的共掺杂SOI-FET，具有纳米级通道尺寸。图1a为共掺杂SOI-FET器件的结构示意图，图1b为该器件的扫描电子显微镜（SEM）图，图1c展示了该器件通道区域内磷（P）供体和硼（B）受体的随机分布示意图。

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