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GaN互补逻辑性能的一个关键瓶颈是p-沟道FET与成熟n-FET的互补。GaN p-FET的最大漏极电流通常小于10mA/mm。这与镁（Mg）作为电子受体产生正空穴电荷载流子的性能较差有关。

氮化镓 (GaN)技术相比传统硅基MOSFET有许多优势。GaN是宽带隙半导体，可以让功率开关在高温下工作并实现高功率密度。这种材料的击穿电压较高，可适用于100 V以上的应用。而对于100 ...

异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术，在非尺寸依赖追求应用多样性 ...

👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。

朱廷刚：总体来看，GaN功率半导体市场还是呈增长趋势的，但如大家所见，这几年大环境消费端需求疲软，造成需求的增速放缓。这个现象不止影响到Power GaN，对整个功率半导体市场的影响也是一样的。

研究人员提出的结合模拟和伪似然策略的新目标函数，在 SDEs 系数函数推断方面取得了显著进展。通过实验验证，这种方法在系数重建和样本生成准确性上均优于当前的先进方法，为从数据中准确推断 SDEs 系数函数提供了更有效的途径。

Allan方差分析表明，静态噪声中的量化噪声降低94%，达到高端传感器实测性能。在实际工业场景测试中，成功捕捉到13.2g的机械冲击峰值（传统传感器在8.0g即饱和），并通过高精度三维高速运动捕捉设备验证了信号波形的时频域保真度。

低成本加速度计凭借体积小、易集成、可穿戴及量产化优势，在工业自动化、医疗监测和消费电子等领域广泛应用，但其精度受限、噪声显著且量程范围狭窄的问题严重制约了高动态场景下的应用。

格隆汇2月10日丨芯导科技(688230.SH)在投资者互动平台表示，近年来随着全球能源结构向低碳化转型加速为功率半导体产业带来巨大机遇，公司聚焦新能源应用领域，集中发力加快发展GaN、SiC、IGBT等新型功率半导体业务。 公司650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN ...

IT之家 2 月 25 日消息，小米首款 AI 专业办公笔记本 REDMI Book Pro 16 2025 已于昨日正式亮相，新品首批搭载第二代酷睿 Ultra 处理器、配备 LPDDR5X 8400MT/s 内存。

近日，小米公司正式发布了备受期待的年度旗舰机型——小米15 Ultra，售价6499元起。这款手机不仅延续了小米一贯的高性价比策略，更在AI技术领域实现了突破，成为行业内的一大亮点。 小米15 ...