三星电子DS部门的首席技术官宋在赫，在国际固态电路会议（ISSCC）上发表了重要讲话，并披露了一系列创新技术。此次会议于旧金山举行，吸引了众多业内人士的关注。

快科技2月26日消息，随着NAND闪存技术竞争日益激烈，三星电子公布的路线图显示，计划到2030年开发出1000层的NAND闪存。 为了实现这一目标，三星计划引入一种名为“多BV”（multi-BV）的NAND结构，通过堆叠四片晶圆来突破结构限制。

快科技2月26日消息，据韩媒报道 ， SK海力士将于3月支付收购英特尔NAND业务Solidigm的尾款，完成最终交割，标志着一场历时近五年的重大交易即将画上句号。