为了直观展示这一技术的潜力,宋在赫还公开展示了一份名为“Multi-BVNAND”结构的PPT。该结构通过堆叠四片晶圆(2+2)的方式,打破了传统结构的限制,为实现更高层数的NAND闪存提供了可能。值得注意的是,三星并非唯一一家致力于提升NAND堆叠 ...
IT之家 2 月 26 日消息,三星电子 DS 部门 CTO 宋在赫(송재혁)在上周于旧金山举行的国际固态电路会议(ISSCC)上发表主题演讲,并展示了其晶圆键合、低温蚀刻和钼应用等技术。
大约25年前,硅晶圆市场一半以上的份额是由直径最大为6英寸(150毫米)的晶圆组成。根据行业组织SEMI发布的数据,如今这一比例不到5%。而随着越来越多的硅片大厂逐渐砍掉6英寸厂,6英寸晶圆,一个时代的落幕已然有所端倪。
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来自MSN英特尔两台High NA EUV光刻机已投产,单季完成3万片晶圆据路透社2月24日报道,英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示,英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产,早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的 ...
近日,国家知识产权局公布了一项重要专利授权信息。江苏首芯半导体科技有限公司成功获得名为‘载入腔室、载入腔室控制方法及晶圆处理系统’的专利,授权公告号为CN117524932B。这一创新成果不仅标志着公司在半导体领域的技术突破,也为行业带来了新的发展机 ...
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三星电子DS部门的首席技术官宋在赫,在国际固态电路会议(ISSCC)上发表了重要讲话,并披露了一系列创新技术。此次会议于旧金山举行,吸引了众多业内人士的关注。
快科技2月26日消息,ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的EUV极紫外光刻机,支持High-NA也就是高孔径,Intel去年抢先拿下了第一台,目前已经在俄勒冈州Fab D1晶圆厂安装部署了两台,正在紧张地研究测试中 ...
格隆汇2月26日丨天通股份(600330.SH)在投资者互动平台表示,公司生产的铌酸锂晶圆是集成薄膜铌酸锂光子毫米波雷达的关键原材料。
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三星的目标是到 2030 年凭借其新型"多BV"NAND 设计制造出 1000 层 NAND。 The Bell 报道称,该计划涉及堆叠四个晶圆以克服结构限制。 晶圆键合技术在这一进展中起着至关重要的作用,三星打算利用它来突破 1000 ...
引言: 2024年,晶圆代工市场的竞争愈发激烈。全球晶圆代工行业的收入已经突破1317亿美元, 台积电 ( 198.24, -1.86, -0.93%) ...
快科技2月25日消息,Intel宣布,ASML首批两台高数值孔径(High-NA EUV)极紫光刻机已经在其工厂投入生产。初步数据显示,其效率、可靠性比上一代EUV光刻机都有明显提升。 Intel资深首席工程师Steve ...
2月19日,专门从事晶圆厂等高科技设施建设的领先工程、建筑和设计公司 Exyte 发布报告称,虽然在中国台湾建造一座晶圆厂大约需要19个月,但如果在美国建造一座同样规模的晶圆厂则需要长达38个月,几乎是中国台湾的两倍,并且建设成本大约是中国台湾的两倍 ...
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