三星的目标是到 2030 年凭借其新型"多BV"NAND 设计制造出 1000 层 NAND。 The Bell 报道称，该计划涉及堆叠四个晶圆以克服结构限制。 晶圆键合技术在这一进展中起着至关重要的作用，三星打算利用它来突破 1000 ...