与硅器件相比，碳化硅Cascode JFET具备多项优势。碳化硅作为宽禁带材料，具有更高的击穿电压特性，这意味着其器件可采用更薄的结构支持更高的电压。此外，碳化硅相较于硅的其他优势还包括： ...

图1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较 什么是碳化硅Cascode JFET技术？ 众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） 和 绝缘栅双极晶体管（IGBT ...

图1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较 什么是碳化硅Cascode JFET技术？ 众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT ...

"宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文，为读者提供行业内前沿科技信息。 香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, ...

Persistent Link: https://ieeexplore.ieee.org/servlet/opac?punumber=16 ...

Abstract: This paper presents a dual feedback transimpedance amplifier (TIA) with a modified regulated-cascode (RGC) topology that employs a negative resistance-capacitance (NRC) network to enhance ...

格隆汇2月10日丨芯导科技(688230.SH)在投资者互动平台表示，近年来随着全球能源结构向低碳化转型加速为功率半导体产业带来巨大机遇，公司聚焦新能源应用领域，集中发力加快发展GaN、SiC、IGBT等新型功率半导体业务。 公司650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN ...

朱廷刚：总体来看，GaN功率半导体市场还是呈增长趋势的，但如大家所见，这几年大环境消费端需求疲软，造成需求的增速放缓。这个现象不止影响到Power GaN，对整个功率半导体市场的影响也是一样的。

前言近期充电头网拿到了深圳市同长盛电子有限公司生产的一款180W氮化镓桌面充电器，产品采用经典线体分离设计，同时配置有3C2A五个USB接口，换线灵活可适配地区更加广泛，接口多轻松解决多设备同时充电需求。充电头网了解到，电源内部采用了一颗天德钰JD6 ...