中国台湾研究院半导体中心研究员杨智超指出，双方合作成功研发出的 “新型高密度、高频宽 3D 动态随机存取存储器”，可应用于 AI 芯片中的 HBM 内存。目前，全球仅有少数顶尖研究团队提出了这种 3D DRAM ...

据闪德咨询获悉，在最近的投资者日上，闪迪揭开了超大容量SSD的神秘面纱，并承诺未来将推出更大容量的SSD，同时推出了一种新的、更便宜的DRAM替代品，称为3D Memory Matrix。

据韩媒SEDaily报道，NVIDIA与内存制造商SK海力士、美光和三星合作，共同打造体积小但性能高的新内存标准。新标准名为“SOCAMM”（System On Chip Advanced Memory Module）。

三星电子近日宣布正在开发下一代DRAM（Dynamic Random Access Memory），旨在大幅提升AI智能手机和PC的计算性能。这一技术突破将为移动设备带来更强大的AI处理能力，推动智能手机在AI应用中的表现迈向新高度。

由于 SOT-MRAM 能耗较低且具有非易失性，因此被认为是静态 RAM 的有前途的替代品。与传统内存不同，它使用电流来切换磁状态，从而实现可靠的数据存储。降低写入数据所需的高输入电流，同时确保与工业应用的兼容性仍然是一个挑战，因此 JGU 的团队开发了一种磁性材料，将钌作为 SOT 通道，解决了这些问题并提高了性能。