该文研究拉应力作用下取向电工钢磁畴结构沿轧制方向的变化规律，将拉应力与畴壁平移运动之间的关系量化处理，由此采用基于畴壁平移运动的J-A模型对材料的磁化特性进行描述，通过提出适用于低磁通密度范围的新型无磁滞磁化公式替代传统J-A理论中的郎之万公式以考虑 ...

“主机厂之间的激烈竞争，将压力传导到Tier-1供应商，最终再传导到芯片企业。“在近期行业交流中，“卷”是被提及最多的 ...

协议芯片来自华源智信，型号HY930B，这是一款高性能、高集成度的USB Type-C电源控制器。其支持5个FPDOs和2个APDOs，具有可编程的电流和电压，完全符合USB PD3.1快充规范。

十种 RDS(on) 级产品采用各种SMD封装，如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT ... 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET 据外媒报道，英飞凌周二在官网公布的消息显示，他们和联华电子已达成了长期战略合作协议，扩大了 ...

据CNET引《日经新闻》报道，日本、美国的20多家芯片公司组成研发联盟，将共同开发下一代“磁随机存取存储器”（MRAM），有望替代目前的存储方案——DRAM（动态随机存储）。包括东京电子（TokyoElectron）、信越化学工业（Shin-E ...

中国北京，2024年12月5日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FABSiliconFoundries（“X-FAB”）今日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on- ...