在非易失性存储领域，铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）近期联合推出了最新的332层NAND闪存技术，这项突破性的成果不仅提升了存储容量和速度，还为未来数据中心的能效管理提供了新思路。

在非易失性存储器领域，闪存技术正经历着一场前所未有的革命。近日，三星电子宣布，将其3DNAND闪存的层数突破至400层，成为存储技术发展中的里程碑。这项新技术不仅提升了存储密度，还显著提高了数据传输速度，预计将对数据存储的需求产生深远影响。

近日，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）合作，在国际固态电路会议（ISSCC 2025）上发布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。这一新一代的3D ...

合资伙伴 Kioxia 和 SanDisk 正在预览更快的 218 层 3D NAND 技术，该技术具有更快的接口速度和更好的能效，同时还展示了即将推出的 332 层技术。 Kioxia 欧洲副总裁兼首席技术官 Axel Stoermann 表示："除了数据中心对提高能效的需求外，数据生成量将大幅增加，这主要由新的 AI ...

铠侠此次开发的是被称为第10代的技术。与目前第8代的218层产品相比，输入数据时的电力效率提高10%，输出时提高34%。单位面积的存储容量提高59%。今后将在日本国内生产，具体时间尚未确定。竞争对手也在开发300层左右的下一代产品。

在与《电子工程专辑》的独家对话中，华邦电子产品总监朱迪用“冰火两重天”来形容2024年存储行业留给自己的感受。他预测2025年端侧AI产品将进入爆发期，落地速度将比过去两年更快，会带动更多中小容量存储的需求。

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Kioxia Holdings Corp. shares rallied as much as 19%, the most since its listing on the Tokyo Stock Exchange in December last ...

铠侠和闪迪还展望第九代和第十代 3D 闪存产品，第九代产品利用 CBA 技术融合现有存储单元技术和新 CMOS 技术，实现高性价比。第十代产品将进一步提升容量、速度和功耗表现，满足未来数据中心和 AI 应用需求。

旧金山--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation和Sandisk Corporation率先推出了先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度 ...

Kioxia Holdings的财务健康状况根据公司超100多个因子相比发达市场中信息技术行业内其他公司的排名确定。