近日，杭州镓仁半导体联合浙江大学研究团队，在β-氧化镓（β-Ga2O3）单晶生长领域取得关键技术突破！在国际知名期刊Crystal Growth & Design第25卷/第3期发表了题为《 Highly Coherent Grain Boundaries Induced by Local Pseudomirror Symmetry in β-Ga2O3 》的研究论文。