本月早些时候，芝加哥大学普利兹克分子工程学院的研究人员展示了一种技术，该技术能够利用原子大小的晶体缺陷来表示1和0，从而在“仅1mm³大小的小立方体材料内实现极高的密度，存储太字节级别的存储比特 (TB)”。

除了“常温超导”，现代科学还有哪些鸿沟难以逾越？一个是电池，另一个就是存储技术。最近，芝加哥大学普利兹克分子工程学院的研究人员似乎打破了其中一个桎梏，将数TB的数据存储在仅1毫米大小的晶体立方体中。

在助理教授Tian Zhong的领导下，研究团队透过将稀土离子引入晶体中，具体而言就是将镨（Praseodymium）离子掺杂到氧化钇（Yttrium ...

DS Audio TB-100电子管光学唱头放大器正式发布，为音响爱好者带来全新的音质体验。在2024年德国慕尼黑高级音响展上，DS ...

IT之家 2 月 17 日消息，根据外媒 TechSpot 今日的报道，美国芝加哥大学的研究团队在数据存储领域取得了重要突破 —— 成功在一个 仅一毫米大小的晶体立方体 内存储了 数 TB 的数据 。研究人员利用晶体中的单原子缺陷，将 数据的二进制 ...

传统数据存储一直依赖“开”“关”切换的系统，但存储二进化状态的存储组件本身尺寸，却限制设备能容纳的资讯量。芝加哥大学研究人员14日发布研究成果，成功在仅1毫米大小晶体内存储数TB的数据，为今后存储解决方案取得突破性的里程碑。

传统的数据存储是通过对系统的开和关状态进行控制来存储二进制信息的，存储设备组件自身的体积限制了设备的存储上限。而在该项研究中，研究人员利用晶体中的单原子缺陷作为存储单元，极大的提高了设备的存储密度。

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