忆阻器,全称记忆电阻器(Memristor)。它是表示磁通与电荷关系的电路器件。忆阻具有电阻的量纲,但和电阻不同的是,忆阻的阻值是由流经它的电荷确定。因此,通过测定忆阻的阻值,便可知道流经它的电荷量,从而有记忆电荷的作用。
忆阻器的原理是电荷与磁通量之间的关系,根据推导,即使电压断开,由于磁通量不变,忆阻器的忆导值也不变,即忆阻器具有记忆功能。 2. 逻辑运算
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2023年9月11日 · 忆阻器(Memristor)是一种具有记忆能力的电子器件,它可以在电阻和电荷之间存储信息。忆阻器具有非常快速的读写速度和低能耗特性,因此被广泛研究用于构建新型的神经网络。 基于忆阻器的神经网络具有以下特点: 1.
忆阻器相当于一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制电流的变化可改变其阻值,如果把高阻值定义为“1”,低阻值定义为“0”,则这种电阻就可以实现存储数据的功能。往深里说,忆阻器能够记住很多信息,就像生物的神经细胞一样。
忆阻器(memristor)又名记忆电阻(memory resistor 的混成词),是一种被动电子元件。如同电阻器,忆阻器能产生并维持一股安全的电流通过某个装置。但是与电阻器不同的地方在于,忆阻器可以在关掉电源后,仍能“记忆”先前通过的电荷量。
RRAM (Resistive Random Access Memory, Non-volatile Memory),又叫忆阻器。 RRAM一一般有两种类型OxRAM (oxygen vacancy based RRAM) 和CBRAM (conductive-bridge RAM),但都是基于filamentary mechanism:
憶阻器(memristor)又名記憶電阻(memory resistor 的混成词),是一種被動電子元件。如同電阻器,憶阻器能產生並維持一股安全的電流通過某個裝置。但是與電阻器不同的地方在於,憶阻器可以在關掉電源後,仍能「記憶」先前通過的電荷量。
忆阻器的三条简单判据. 在双极性周期性电信号的激励下,器件在v-i平面的电特性为一条捏滞回线; 当电信号扫描频率增大时,捏滞回线的波瓣面积持续减小; 当扫描频率趋近无穷大时,捏滞回线将收缩为一条单值函数。 无源忆阻器的一般结构(三明治)
2017年7月14日 · 忆阻器是一种有记忆的电阻器,可以根据施加在设备上的电压来调整通过设备的电流,是一种先进的电子设备。 忆阻器组成的计算机系统比传统的系统更高效,在传统的计算机中,逻辑单元和记忆单元在集成电路中位置不同,而忆阻器这种电子器件既可以存储 ...