2021年3月20日 · 标题中的“利用忆阻器阵列仿真k-means算法”是指使用忆阻器技术来模拟和执行k-means聚类算法。忆阻器,全称为记忆电阻器,是一种非易失性存储器件,其电阻值可以由施加的电压历史决定,这使其在计算和数据存储领域...
2024年9月4日 · 忆阻器Crossbar阵列是一种先进的神经网络硬件实现技术,它利用忆阻器的物理特性来模拟神经网络中的突触连接,为人工智能和机器学习应用提供了一种高效、低能耗的计算平台。
2023年9月18日 · 这篇综述基于忆阻器件的简单器件结构、优异的可扩展性、快速的编程、高耐久性、长的保持性以及与cmos工艺的良好兼容性,总结了对忆阻交叉阵列应用的发展现状和展望,使忆阻器在信息存储、逻辑运算以及类脑神经形态计算领域的应用都极具潜力,这也使得 ...
王中锐教授团队的忆阻器交叉阵列芯片,单忆阻器交叉阵列规模为128*64,最大5bits,目前算力最强的忆阻器阵列。 前段时间针对忆阻器的工作原理和发展进行调研,整理出来分享给大家。
在模拟计算方面,Strukov团队[48]利用忆阻器阵 列实现了可以进行图像分类的感知机,并首次在实 验上证明忆阻器阵列可以原位训练。权重值直接存 储在忆阻器阵列上,在推理时可以充当加速器。
2021年3月18日 · 忆阻器RRAM通过plug(电热调制层,可以通过改变电导率和热导率来调制氧空位分布和阻变过程)与MOS管的漏极D相连。 它有三种写操作:FORMING、SET、RESET。 FORMING:源极S接地,栅极G接$V_g$,RRAM施加FORM电压,将器件由高电阻状态打到低电 …
忆阻器阵列直接使用欧姆定律进行加法运算,使用基尔霍夫定律(Kirchhoff』s law)进行乘法运算,因而能够实现并行内存内(in-memory)MAC 运算,从而模拟内存内计算(in-memory computing),并实现速度和能效的大幅提升。
2024年3月4日 · 忆阻器Crossbar阵列是一种先进的神经网络硬件实现技术,它利用忆阻器的物理特性来模拟神经网络中的突触连接,为人工智能和机器学习应用提供了一种高效、低能耗的计算平台。
这样看来,他们把忆阻器集成为多个阵列,再设计出一套存算一体系统,其实只要团队成员和合作伙伴各自发挥自己的优势就可以了,不用像美国pi那样单打独斗,每个人都需要十项全能。
2024年11月15日 · 近日,清华大学集成电路学院团队研制了具有多模态的感存算一体化光电忆阻器阵列,搭建了单片集成的感内计算原型系统,用于处理多阶视觉任务。