2021年4月1日 · 闩锁效应(Latch-up)是一种集成电路中的异常状态,它可以使晶体管通的电流突然增大,导致电路损坏。闩锁效应通常发生在CMOS集成电路中,是由于PN结形成的一个双稳态问题引起的。当一个PN结中的电子和空穴被注入后,...
2024年1月31日 · 在CMOS集成电路中,闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应(Latch-up),以及有效抑制闩锁效应的方法。 一、背景知识 (1)双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT) 图1 NPN型BJT的结构示意图、管芯剖面图和NPN型符号
闩锁效应是 CMOS工艺 所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成 正反馈 形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生 ...
2024年5月8日 · 从上面分析我们知道闩锁的根本原因是外接电位变化,导致寄生PN结先正偏或反偏击穿,向阱中注入载流子,然后再阱寄生电阻上形成压降,从而导致寄生三级管导通,从而形成闩锁。 那么多子和少子guardring,就是吸收PN结在正偏或反偏击穿时,向阱注入的载流子。
2022年10月10日 · 闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件。这种情况将由触发事件(电流注入或过电压)引起,但一旦触发,即使触发条件不再存在,低阻抗路径仍然存在。这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。在 ...
2023年7月25日 · 一、闩锁效应:实际上是由于cmos电路中基极和集电极相互连接的两个bjt管子(下图中,侧面式npn和垂直式pnp)的回路放大作用形成的,在两个管子的电流放大系数均大于1时,电流在这两个管子构成的回路中不停地被放大,…
2023年11月9日 · 本章将以一个cmos反相器作tx的替代电路作为引子,简单介绍i/o接口电路需要考量的其它因素——闩锁和esd。图1中提出了所谓“n over n”的tx结构,其原理,是用一个nmos管去替换cmos中的pmos。这样改动,可以削弱i/o输出的闩锁效应。
CMOS 中的 latch-up 问题来源于其寄生的 NPN 与 PNP 双极晶体管形成的 PNPN 结构, 具体的闩锁效应产生原理的分析,可以以一对反相器为例(如下图中所示)来说明。
闩锁效应产生的背景 早在1962年cmos结构就被提出,但其应用被局限于某些特殊的领域,在这些应用中,性能和封装密度并不是主要考虑的因素。随着技术进步和工艺支持,cmos电路已经占据了集成电路市场上很大的份额。
2024年10月27日 · 闩锁效应(Latch-up)是一种集成电路中的异常状态,它可以使晶体管通的电流突然增大,导致电路损坏。 闩锁效应 通常发生在C MOS 集成电路中,是由于PN结形成的一个双稳态问题引起的。