多孔硅(porous Si)是一种新型的一维纳米光子晶体材料,具有纳米硅原子簇为骨架的“量子海绵”状微结构,可以通过电化学阳极腐蚀或化学腐蚀单晶硅而形成。
2020年4月17日 · 多孔硅(Porous silicon, PSi)是一种具有有序孔道结构的纳米材料。 自从贝尔实验室于1956年意外发现多孔硅以来,其因高度可控的形貌、可调的纳米孔道结构、巨大的比表面积以及多样化的表面化学等特点一直受到包括药物递送在内的诸多领域的热切关注。
2024年3月21日 · 多孔硅是具有一层高纵横比、相互隔绝或连通的、与表面垂直的纳米硅晶。1956年在hf酸试剂中通过电抛光硅第一次制备出了多孔桂,之后就开始对多孔硅进行广泛的研究。硅在稀氢氟酸溶液中化学溶解的化学溶解过程[1]如…
多孔硅(porous Silicon)是指通过对氢氟酸溶液中的晶体硅片进行阳极氧化,在硅衬底上形成的多孔态的硅材料.本文介绍了多孔硅的形成规律和结构形貌,并对其光学性质和形成机制仆行了简要的评介,最后以多孔硅在大规模集成电路中的应用为主讨论了它的 ...
我们基于近期课题组在多孔硅领域的研究进展,比较详细地综述了近年来多孔硅的合成方法(刻蚀法、金属还原法、溶液法)以及重点关注其在高能锂电池领域的应用进展。详细论述了不同合成方法的优缺点。最后,对多孔硅的未来发展方向做了进一步的展望。 1.
多孔硅是通过对单晶硅片进行电化学腐蚀或适当的化学腐蚀而形成的一种纳米结构半导体材料.多孔硅纳米材料因其巨大的表面积、可调谐的光学性质和良好的相容性,被广泛应用于电子器件、生物传感、化学传感、药物传递、生物芯片等诸多领域.当前研究的挑战 ...
摘要: 采用电化学腐蚀法在硅基片表面形成多孔硅, 利用直流对靶反应磁控溅射方法在不同电流密度条件下 制备的多孔硅样品表面上溅射沉积了VOx 薄膜, 获得了氧化钒/多孔硅/硅(VOx/PS/Si)结构. 采用场发射扫描电镜
多孔硅是通过对单晶硅片进行电化学腐蚀或适当的化学腐蚀而形成的一种纳米结构半导体材料。 多孔硅纳米材料因其巨大的表面积、可调谐的光学性质和良好的相容性,被广泛应用于电子器件、生物传感、化学传感、药物传递、生物芯片等诸多领域。
在这篇综述中,对多孔硅膜(PSiMs)的最新工作进行了分析和总结。 为了突出PSiM的潜力,本文介绍了在几个领域中取得的最新进展。 已经开发了用于制造和集成PSiM的新方法,它们越来越依赖于半导体微加工技术。
多孔硅是一种以纳米硅原子簇为骨架的海绵状新 型功能材料,具有比表面积大、生物活性高、光致发光 和电致发光等特征,在传感器、光/电子 [1 ...