2013年5月31日 · 由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。 对于一个给定的霍尔器件,Vh将完全取决于被测的磁场强度B。
霍尔效应: 霍尔效应是电磁效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。 当电流垂直于外磁场通过导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在导体的两端产生电 …
2015年10月12日 · 1、霍尔效应是电磁效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。 2、当电流垂直于外磁场通过导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在导体的两端产生 …
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。
2017年10月9日 · 在霍尔效应现象中,霍尔效应只是导致出现vh的主要因素而已,这也是为什么要测量多种电流方向和磁场方向才能用算法基本抵消其他效应干扰的原因。换句话说vh并不单纯是霍尔电压。
2012年10月12日 · (2)霍尔效应法 (2)霍尔效应法霍尔效应法主要适用于较大的无机半导体载流子迁移率的测量。 将一块通有电流 I 的半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中,则在垂直于电流和磁场的薄片两端产生一个正比于电流和磁感应强度的电势 U,这称为霍尔效应。
2017年4月4日 · 霍尔效应是载流子在磁场作用(洛伦兹力作用)下而偏离电场方向所产生的一种现象。霍尔电压与电场和磁场成正比,其比例系数称为霍尔系数;霍尔系数与载流子浓度成反比,所以非简并半导体的霍尔效应较显著,而简并半导体和金属的霍尔效应就较弱。
2011年12月9日 · 那么首先我们考虑r-b曲线,经典电磁学认为应该是一条通过坐标原点的直线,事实上由于霍尔量子效应图像呈现的是类似振荡衰减的曲线,而且随着b的增大,曲线振荡偏离的越远。
2017年3月27日 · 在霍尔效应现象中,霍尔效应只是导致出现vh的主要因素而已,这也是为什么要测量多种电流方向和磁场方向才能用算法基本抵消其他效应干扰的原因。换句话说vh并不单纯是霍尔电压。
2008年12月10日 · 霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数,以及判断材料的导电类型,是研究半导体材料的重要手段。 还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。